LTC2260IUJ-14 vs LTC2258IUJ-14 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de LTC2260IUJ-14 par Analog Devices et LTC2258IUJ-14 par Analog Devices. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Analog Devices
LTC2258IUJ-14 - 14-Bit 65Msps Ultralow Power 1.8V ADC | Analog Devices
LTC2258IUJ-14 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | LTC2260IUJ-14 | LTC2258IUJ-14 |
|---|---|---|
| Marque | Analog Devices | Analog Devices |
| Catégorie | ADC/DAC | ADC/DAC |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $20,95 | $15,05 |
| Résolution | 14 bit | 14 bits |
| Sample Rate | 105 Msps | — |
| Number of Input Channels | 1 | 1 |
| Architecture | Pipelined | Pipelined |
| Supply Voltage (Analog/Digital) | 1.8 V (single supply) | — |
| Power Consumption | 106 mW at 105 Msps | — |
| INL (typical) | ±1 LSB | +/-1 LSB |
| DNL (typical) | ±0.3 LSB | +/-0.3 LSB |
| Transition Noise | 1.2 LSB RMS | — |
| Missing Codes | None over temperature | None over temperature |
| Input Range (selectable) | 1 V P-P to 2 V P-P | — |
| Full-Power Bandwidth | 800 MHz | — |
| Output Modes | CMOS, DDR CMOS, DDR LVDS | CMOS / DDR CMOS / DDR LVDS |
| Output Supply Range | 1.2 V to 1.8 V (CMOS) | — |
| Configuration Interface | Serial SPI | — |
| Power-Saving Modes | Shutdown, Nap | — |
| Optional Features | Data output randomizer, clock duty cycle stabilizer | — |
| Boîtier | 40-QFN (6x6 mm) | 40-QFN (6 mm x 6 mm), exposed pad |
| Pin/Package Compatibility | Pin-compatible with LTC2260-12, LTC2261-14, LTC2259-14 | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40 C to +85 C (Industrial, IUJ suffix) | -40 C to +85 C (industrial, IUJ suffix) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | Compliant (#PBF suffix) | — |
| Fréquence d'échantillonnage | — | 65 Msps |
| Supply Voltage (AVDD) | — | 1.8 V (single) |
| Power Dissipation | — | 81 mW at 65 Msps |
| SNR | — | 74 dB |
| SFDR | — | 88 dB |
| Transition Noise (RMS) | — | 1.13 LSB |
| Full-Power Input Bandwidth | — | 800 MHz |
| Selectable Input Range | — | 1 Vp-p to 2 Vp-p |
| CMOS Output Swing (OVDD) | — | 1.2 V to 1.8 V |