LV14360PDDAR vs TPS54360QDDARQ1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de LV14360PDDAR par Texas Instruments et TPS54360QDDARQ1 par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Texas Instruments
LV14360 - 60V 3A Step-Down Buck Converter | Texas Instruments
LV14360PDDAR ✓ ActifTexas Instruments
TPS54360QDDARQ1 - 60V 3.5A Buck Converter | Texas Instruments
TPS54360QDDARQ1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | LV14360PDDAR | TPS54360QDDARQ1 |
|---|---|---|
| Marque | Texas Instruments | Texas Instruments |
| Catégorie | DC-DC Converters | DC-DC Converters |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,66 | $2,45 |
| Topologie | Step-Down (Buck) | Buck (Step-Down) |
| Plage de tension d'entrée | 4.3 V to 60 V | 4.5 V to 60 V |
| Courant de sortie maximal | 3 A | 3.5 A |
| Plage de tension de sortie | 0.8 V adjustable minimum | 0.8 V adjustable upward |
| Integrated High-Side MOSFET | Yes | — |
| Quiescent Current (Sleep Mode) | 300 uA | — |
| Courant d'arrêt | 1 uA | — |
| Control Topology | Constant frequency peak current mode | Current Mode |
| Fréquence de commutation | Up to 2 MHz | [DATA_NEEDED: switching frequency] |
| Protection Features | Cycle-by-cycle current limiting, thermal shutdown, power-good | — |
| Compensation | Internally compensated | — |
| Boîtier | 8-Pin HSOIC (PDDA) 4.89 mm x 3.9 mm with exposed pad | 8-PowerSOIC (DDA, SO-8 PowerPAD, 3.90mm width) |
| Température de fonctionnement | -40C to +150C (TJ) | -40C to +125C |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Nombre de sorties | — | 1 |
| Load Dump Survivability | — | 65 V per ISO 7637 |
| Light-Load Mode | — | Eco-mode pulse-skip (low ripple) |
| Qualification | — | AEC-Q100 (Automotive Q1) |
| Integrated FET | — | High-side MOSFET integrated |