M29W128GH70N3E vs M29W128GL70N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W128GH70N3E par Micron Technology et M29W128GL70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W128GH70N3E | M29W128GL70N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Flash |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $8,65 |
| Type de mémoire | NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| Taille de mémoire | 128 Mbit (16 MB) | — |
| Organisation de la mémoire | 8M x 16 / 16M x 8 | 16M x8 / 8M x16 |
| Interface | Parallel (asynchronous) | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tension d'alimentation | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| Boîtier | 56-TSOP | 56-pin TSOP |
| Number of Terminals | 56 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Largeur du bus de données | 16 bit (byte/word selectable) | — |
| Memory Density | 131072 kbit | — |
| Programming | Command-sequence program/erase with status polling | — |
| Application Segment | Automotive / Industrial code storage | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| Density | — | 128 Mbit |
| Boot Block Configuration | — | Bottom boot (GL suffix) |
| Packaging | — | Tray |
| Automotive Qualification | — | Automotive grade ordering code (N3E) |
| Bus Width Mode | — | Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |