M29W128GH70N3E vs M29W256GH70N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W128GH70N3E par Micron Technology et M29W256GH70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W128GH70N3E | M29W256GH70N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $6,60 |
| Type de mémoire | NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| Taille de mémoire | 128 Mbit (16 MB) | — |
| Organisation de la mémoire | 8M x 16 / 16M x 8 | 32M x 8 / 16M x 16 |
| Interface | Parallel (asynchronous) | Parallel (asynchronous) |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tension d'alimentation | 2.7 V to 3.6 V | 3 V |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| Boîtier | 56-TSOP | 56-TSOP |
| Number of Terminals | 56 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Largeur du bus de données | 16 bit (byte/word selectable) | 8/16 bit (BYTE# selectable) |
| Memory Density | 131072 kbit | — |
| Programming | Command-sequence program/erase with status polling | — |
| Application Segment | Automotive / Industrial code storage | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| Density | — | 256 Mbit (32 MB) |
| Programming Type | — | Command-set program/erase, block organized |
| Common Flash Interface | — | Yes (CFI) |
| Product Longevity Program | — | No (per family data) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |