M29W320DB70N3E vs M29W400FT55N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W320DB70N3E par Micron Technology et M29W400FT55N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W320DB70N3E | M29W400FT55N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Flash | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,95 | $2,80 |
| Type de mémoire | NOR Flash | Flash - NOR Memory IC |
| Density | 32 Mbit (33554 kbits) | — |
| Organisation de la mémoire | 2M x 16 | — |
| Number of Words | 2000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Block Architecture | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Boîtier | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| Programming Mode | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling | — |
| Power-Up Mode | Read mode (default) | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Mbit |
| Sector Size | — | 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) |
| Boot Block Position | — | Top (FT suffix) |
| Temperature Grade | — | Automotive |
| Number of Terminals | — | 48 |
| Package Code / Shape | — | TSSOP / Rectangular |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | — | 3 (168 Hours) |
| Packaging | — | Tray |
| Peak Reflow Time | — | 30 s max |
| Companion Access-Time Grade | — | 55 ns and 70 ns versions available in family |