M58BW32FB5T3F vs M58BW32FB5ZA3T Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M58BW32FB5T3F par Micron Technology et M58BW32FB5ZA3T par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M58BW32FB5T3F | M58BW32FB5ZA3T |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,20 | $4,88 |
| Type de mémoire | NOR Flash | FLASH - NOR Memory IC |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Taille de mémoire | 32 Mbit | 32 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 1M x 32 | x32 (Boot Block, Burst) |
| Tension d'alimentation | 3.3 V | 3.3 V (single supply) |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Boîtier | 80-PQFP (14x20 mm) | 80-LBGA (10 x 12 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q100 (automotive) | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR suffix) |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Read Mode | Asynchronous and burst read | — |
| Architecture | Boot block | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Family | M58BW32F 16Mb/32Mb 3.3V parallel NOR Flash | — |
| Burst Mode | — | Yes (synchronous burst read) |
| Block Architecture | — | Boot Block |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: active current] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |