MPVZ5004G6T1 vs MPVZ5004GW7U Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MPVZ5004G6T1 par NXP Semiconductors et MPVZ5004GW7U par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MPVZ5004G6T1 MPVZ5004G6T1 - 0-3.92kPa Vented Gauge Pressure Sensor | NXP

MPVZ5004G6T1 - 0-3.92kPa Vented Gauge Pressure Sensor | NXP

MPVZ5004G6T1 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MPVZ5004GW7U MPVZ5004GW7U - 3.92kPa Pressure Sensor, 5V, SOP-8 | NXP

MPVZ5004GW7U - 3.92kPa Pressure Sensor, 5V, SOP-8 | NXP

MPVZ5004GW7U ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MPVZ5004G6T1 MPVZ5004GW7U
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie Pressure Sensors Pressure Sensors
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,65 $6,75
Pressure Type Vented Gauge Vented Gauge
Operating Pressure Range 0 kPa to 3.92 kPa (0 to 0.57 PSI) 0 kPa to 3.92 kPa (0 to 0.57 psi)
Maximum Over Pressure [DATA_NEEDED: maximum over pressure] —
Type de sortie Analog Voltage Analog voltage, ratiometric
Plage de tension de sortie 1 V to 4.9 V —
Output Span 3.9 V (typical at 5 V supply) —
Tension d'alimentation 5 V typical (5 V max) 5.0 V (typ)
Courant d'alimentation [DATA_NEEDED: supply current] 4 mA typ (per datasheet family)
Sensitivity 1 V/kPa (approx., ratiometric to Vsupply) approx. 1.0 V / kPa
Accuracy [DATA_NEEDED: accuracy %] [DATA_NEEDED: linearity/error %]
Température de fonctionnement 0C to +85C (per Partstack) 0 °C to 85 °C
Type de montage Surface Mount Through-Hole (DIP module with tube port)
Boîtier 8-SMD Module 8-DIP Module (Case 1560-02)
Port Style Vented Gauge (rear vent) —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: confirm from datasheet]
Pressure Port — Male 0.22" (5.59 mm) tube, single axial
Output Voltage Span — 1.0 V to 4.9 V (at 5 V excitation)
Output Voltage at 0 kPa — 1.0 V typ
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature range]
Technology — Piezoresistive MEMS, monolithic silicon
Signal Conditioning — On-chip amplifier, temperature-compensated, calibrated
Media Compatibility — Non-corrosive dry gases (air)

Fiches techniques et ressources

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