MPXM2102GS vs MPXM2202GST1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MPXM2102GS par NXP Semiconductors et MPXM2202GST1 par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MPXM2102GS MPXM2102GS - 100kPa Vented Gauge Pressure Sensor | NXP

MPXM2102GS - 100kPa Vented Gauge Pressure Sensor | NXP

MPXM2102GS Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre MPXM2102GS MPXM2202GST1
Marque NXP Semiconductors STMicroelectronics
Catégorie Pressure Sensors Pressure Sensors
Statut du cycle de vie Obsolete Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,35 $8,10
Pressure Type Vented Gauge Vented Gauge
Operating Pressure Range 0 kPa to 100 kPa (0 to 14.5 PSI) 0 kPa to 200 kPa (0 psi to 29.01 psi)
Tension de sortie 0 mV to 40 mV at 10 V excitation —
Tension d'alimentation 10 V typical (max 16 V) 10 V typical (sensor excitation)
Sensitivity 0.4 mV/kPa nominal —
Pressure Port Top-mounted tube (0.12" / 2.97 mm) —
Port Configuration Single port, vented gauge —
Package Type 5-SMD Module, M-PAC (MPAK-4) —
Température de fonctionnement -40 C to +125 C 0 °C to +85 °C (compensated range)
Technology Piezoresistive silicon strain gauge Piezoresistive silicon MEMS, single-element
Temperature Compensation On-chip (laser-trimmed) On-chip, 0 °C to +85 °C
Linearity [DATA_NEEDED: linearity %FS] ±0.25% (P2 grade)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (SMD Gull-Wing leads)
Diaphragm Single monolithic silicon —
Series MPX2102 —
Statut RoHS unknown Compliant
Maximum Overpressure — [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating]
Type de sortie — Analog Wheatstone bridge (millivolt differential)
Full-Scale Span — 0 mV to 40 mV at 10 V excitation
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Port Type — Male barbed tube, top-side, 0.12" (2.97 mm)
Boîtier — 5-SMD M-PAK module, top port
Bridge Resistance — [DATA_NEEDED: input/output bridge resistance]

Fiches techniques et ressources

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