MT40A1G8SA-062E vs MT40A1G8SA-075:E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A1G8SA-062E par Micron Technology et MT40A1G8SA-075:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A1G8SA-062E MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E ✓ Actif
Micron Technology
MT40A1G8SA-075:E MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A1G8SA-062E MT40A1G8SA-075:E
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,05 $6,30
Type de mémoire DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
Density 8 Gbit —
Organisation de la mémoire 1G x 8 —
Débit de données 3200 MT/s (DDR4-3200) 2666 MT/s
Clock Frequency 1.6 GHz 1.33 GHz
Access Time (CAS Latency) CL22 at 3200 MT/s —
Row Access Time 19 ns —
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
Internal Banks 16 banks (4 bank groups x 4 banks) —
Refresh 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) —
Température de fonctionnement 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) —
I/O Type 1.2 V pseudo open-drain —
Burst Length BL8, BC4 (burst chop) —
Boîtier 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) 78-FBGA (7.5x11 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Caractéristiques Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ —
Taille de mémoire — 8Gbit (1G x 8)
Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Plage de température de fonctionnement — 0°C to +95°C
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
Write Leveling — Supported
Dynamic On-Chip Termination — Supported
CRC Function — Supported
Data Mask Function — Supported
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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