MT40A1G8SA-075:E vs MT40A1G8SA-062E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A1G8SA-075:E par Micron Technology et MT40A1G8SA-062E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A1G8SA-075:E MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E ✓ Actif
Micron Technology
MT40A1G8SA-062E MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A1G8SA-075:E MT40A1G8SA-062E
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,30 $6,05
Type de mémoire SDRAM - DDR4 DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8Gbit (1G x 8) —
Interface Parallel —
Clock Frequency 1.33 GHz 1.6 GHz
Débit de données 2666 MT/s 3200 MT/s (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
Plage de température de fonctionnement 0°C to +95°C —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
Boîtier 78-FBGA (7.5x11 mm) 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Write Leveling Supported —
Dynamic On-Chip Termination Supported —
CRC Function Supported —
Data Mask Function Supported —
Statut RoHS Compliant —
Density — 8 Gbit
Organisation de la mémoire — 1G x 8
Access Time (CAS Latency) — CL22 at 3200 MT/s
Row Access Time — 19 ns
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
Internal Banks — 16 banks (4 bank groups x 4 banks)
Refresh — 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C)
Température de fonctionnement — 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C)
I/O Type — 1.2 V pseudo open-drain
Burst Length — BL8, BC4 (burst chop)
Caractéristiques — Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ

Fiches techniques et ressources

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