MT40A512M16JY-07EAIT:B vs NT5CC256M16DP-DI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16JY-07EAIT:B par Micron Technology et NT5CC256M16DP-DI par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16JY-07EAIT:B | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,10 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Débit de données | 2666 MT/s | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| Interface | Parallel | Differential clock (CK, CK#) |
| Boîtier | 96-FBGA (8x14) | VFBGA-96 |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +105°C (AIT grade) | -40°C to +95°C (industrial) |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| AEC-Q100 | Qualified (AIT suffix) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 4Gb |
| Tension d'alimentation | — | 1.35V |
| Latence CAS | — | 11, 12, 13 (programmable) |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Lead-Free | — | Yes |