MT40A512M16JY-07EAIT:B vs AS4C512M16D4A-62BIN Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16JY-07EAIT:B par Micron Technology et AS4C512M16D4A-62BIN par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Actif
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M16JY-07EAIT:B AS4C512M16D4A-62BIN
Marque Micron Technology Alliance Memory
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,10 $8,10
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit 8 Gbit
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.33 GHz —
Débit de données 2666 MT/s 3200 Mbps per pin
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
Interface Parallel POD (Pseudo Open Drain)
Boîtier 96-FBGA (8x14) 96-FBGA (7.5x13mm)
Plage de température de fonctionnement -40°C to +105°C (AIT grade) —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant Compliant
Clock Rate — 1600 MHz
Tension d'alimentation — 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
Température de fonctionnement — -40°C to +95°C
Latence CAS — Programmable (e.g., 22 cycles)
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Type de montage — Surface Mount
Lead Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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