MT40A512M16JY-083E vs MT40A512M16LY-075:E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16JY-083E par Micron Technology et MT40A512M16LY-075:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron
MT40A512M16JY-083E ✓ ActifMicron Technology
MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron
MT40A512M16LY-075:E ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16JY-083E | MT40A512M16LY-075:E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,85 | $5,80 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (Automotive) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) | 1.33 GHz |
| Débit de données | 2400 MT/s (speed grade -083E) | 2666 MT/s |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| I/O Interface | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die internal adjustable generation | — |
| Refresh Structure | 8192-cycle refresh | — |
| Refresh Window | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C | — |
| Boîtier | 96-FBGA (8 x 14 mm) | 96-FBGA (7.5x13.5mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| ECCN | EAR99 | — |
| Sans halogène | Compliant | — |
| Country of Origin | China | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Latence CAS | — | 19 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Interface | — | Parallel |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Internal Banks (x16) | — | 8 banks (4 groups of 2) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| RoHS | — | Compliant |