MT41K256M16LY-107:N vs MT41K256M16HA-125:E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16LY-107:N par Micron Technology et MT41K256M16HA-125:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N ✓ Actif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT41K256M16LY-107:N MT41K256M16HA-125:E
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,10 $3,10
Type de mémoire SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Taille de mémoire 4 Gbit —
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Largeur du bus de données 16 bit 16 bits
Fréquence d'horloge maximale 933 MHz —
Access Time 20 ns —
Tension d'alimentation 1.35 V —
Boîtier / Format 96-FBGA (7.5x13.5) —
Style de montage Surface Mount —
Plage de température de fonctionnement 0°C to +95°C (Tc) 0°C to +95°C (TC)
RoHS Compliant —
Memory Format DRAM —
Technology DDR3L —
Supply Voltage - Min 1.283 V —
Supply Voltage - Max 1.45 V —
Density — 4 Gbit
Clock Frequency — 800 MHz
Latence CAS — 13.75 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.35 V (DDR3L)
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35 V
Boîtier — 96-FBGA (9x14 mm)
Nombre de broches — 96
Type de montage — Surface Mount
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS

Fiches techniques et ressources

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