MT41K256M16RE-125:D vs MT41K256M16HA-125:E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16RE-125:D par Micron Technology et MT41K256M16HA-125:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D ✓ Actif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT41K256M16RE-125:D MT41K256M16HA-125:E
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,19 $3,10
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Tension d'alimentation 1.35 V —
Débit de données 1600 MT/s —
Latence CAS 11 13.75 ns
Boîtier FBGA-96 (9x14 mm) 96-FBGA (9x14 mm)
Température de fonctionnement 0C to +95C (TC) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Burst Length 8, 4 —
On-Die Termination Yes —
Auto-Refresh Yes —
Self-Refresh Yes —
Ball Pitch 0.8 mm —
Clock Frequency — 800 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.35 V (DDR3L)
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35 V
Nombre de broches — 96
Type de montage — Surface Mount
Plage de température de fonctionnement — 0°C to +95°C (TC)
Statut RoHS — Compliant
Largeur du bus de données — 16 bits
Logic Family — CMOS

Fiches techniques et ressources

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