MT41K64M16TW-107 AUT:J vs K4A4G165WG-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K64M16TW-107 AUT:J par Micron Technology et K4A4G165WG-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K64M16TW-107 AUT:J - 1Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K64M16TW-107 AUT:J ✓ ActifSamsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A4G165WG-BCWE ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K64M16TW-107 AUT:J | K4A4G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,85 | $16,90 |
| Type de mémoire | SDRAM - DDR3L | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Taille de mémoire | 1 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 64M x 16 | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 933 MHz | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] |
| Access Time | 20 ns | 19 ns |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible | 1.2 V |
| Boîtier | 96-FBGA (8 x 14 mm) | FBGA-96 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | AUT (automotive) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh rate] | [DATA_NEEDED: refresh interval] |
| Débit de données | 1866 MT/s (DDR3L-1866) | 3200 Mbps |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Packaging | Tray (T/R per listing) | — |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | DDR4 |
| Product Status | — | Active |