MT53D512M32D2DS-046 vs MT53D512M32D2DS-053 WT:D Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT53D512M32D2DS-046 par Micron Technology et MT53D512M32D2DS-053 WT:D par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT53D512M32D2DS-046 - 16Gb LPDDR4 2133MHz DRAM | Micron
MT53D512M32D2DS-046 ✓ ActifMicron Technology
MT53D512M32D2DS-053 WT:D - 16Gb LPDDR4 SDRAM | Micron
MT53D512M32D2DS-053 WT:D ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT53D512M32D2DS-046 | MT53D512M32D2DS-053 WT:D |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $61,75 | $6,05 |
| Type de mémoire | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Taille de mémoire | 16 Gbit | 16 Gbit (2 GB) |
| Organisation de la mémoire | 512M x 32 | 512M x 32 |
| Clock Frequency | 2.133 GHz | — |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ supply voltage] |
| Boîtier | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) | 200-WFBGA (10 mm x 14.5 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -30C to +85C (WT grade) | -40C to +85C |
| Die Configuration | DDP (Dual Die Package) | DDP (Double Die Package) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Interface | LPDDR4 (JEDEC mobile SDRAM) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | RoHS Compliant (per DigiKey listing) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Clock Frequency / Data Rate | — | 1.866 GHz (1866 MT/s) |
| Speed Grade | — | -053 |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, built-in temperature sensor, auto precharge, write leveling, ZQ calibration, asynchronous reset, data mask |
| Largeur du bus de données | — | 32 bit |
| Memory Interface | — | Parallel, LPDDR4 |
| Self-Refresh | — | Auto self-refresh with temperature-compensated refresh |
| Refresh | — | Auto refresh and self refresh |