MT53E128M32D2DS-046 vs MT53D512M32D2DS-053 WT:D Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT53E128M32D2DS-046 par Micron Technology et MT53D512M32D2DS-053 WT:D par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT53E128M32D2DS-046 MT53E128M32D2DS-046 - 4Gb LPDDR4 SDRAM 200-WFBGA | Micron

MT53E128M32D2DS-046 - 4Gb LPDDR4 SDRAM 200-WFBGA | Micron

MT53E128M32D2DS-046 Obsolete
Micron Technology
MT53D512M32D2DS-053 WT:D MT53D512M32D2DS-053 WT:D - 16Gb LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53D512M32D2DS-053 WT:D - 16Gb LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53D512M32D2DS-053 WT:D ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT53E128M32D2DS-046 MT53D512M32D2DS-053 WT:D
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Obsolete Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $6,05
Type de mémoire Mobile LPDDR4 SDRAM (LPDDR4/LPDDR4X unified) SDRAM - Mobile LPDDR4
Density 4 Gbit —
Organisation de la mémoire 128M x 32 512M x 32
Largeur du bus de données 32 bit 32 bit
Débit de données 2.133 GHz (speed bin -046) —
Maximum Clock Rate 4166 MHz (per Arrow listing) —
Configuration DDP (Double-Die Package) —
Boîtier 200-WFBGA (10 mm x 14.5 mm) 200-WFBGA (10 mm x 14.5 mm)
VDDQ (LPDDR4X mode) 0.6 V —
VDDQ (LPDDR4 mode) 1.10 V —
Operating Temperature (AAT grade) -40C to +105C —
Operating Temperature (AIT grade) -40C to +95C —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Dry pack, Tape and Reel —
ECCN (US) EAR99 —
HTS 8542.32.00.28 —
Automotive Qualification Yes (per Arrow listing for AAT:A) —
Statut RoHS EU RoHS Compliant RoHS Compliant (per DigiKey listing)
Part Status Obsolete (per Arrow listing) —
Taille de mémoire — 16 Gbit (2 GB)
Clock Frequency / Data Rate — 1.866 GHz (1866 MT/s)
Die Configuration — DDP (Double Die Package)
Température de fonctionnement — -40C to +85C
Speed Grade — -053
Caractéristiques — Auto self-refresh, built-in temperature sensor, auto precharge, write leveling, ZQ calibration, asynchronous reset, data mask
Memory Interface — Parallel, LPDDR4
Self-Refresh — Auto self-refresh with temperature-compensated refresh
Refresh — Auto refresh and self refresh
Tension d'alimentation — [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ supply voltage]

Fiches techniques et ressources

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