MT53E1G32D2FW-046 AUT:B vs MT53E512M32D2FW-046 AAT:D Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT53E1G32D2FW-046 AUT:B par Micron Technology et MT53E512M32D2FW-046 AAT:D par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B - 32Gbit LPDDR4X DRAM | Micron
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B ✓ ActifMicron Technology
MT53E512M32D2FW-046 - 16Gb LPDDR4 SDRAM 2133MHz | Micron
MT53E512M32D2FW-046 AAT:D ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT53E1G32D2FW-046 AUT:B | MT53E512M32D2FW-046 AAT:D |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $273,51 | $13,75 |
| Type de mémoire | SDRAM - Mobile LPDDR4X | SDRAM - Mobile LPDDR4/LPDDR4X |
| Taille de mémoire | 32 Gbit (4 GB) | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | x32 Parallel | 512M x 32 |
| Clock Frequency | 2.133 GHz | 2133 MHz (2.133 GHz) |
| Access Time / Clock Cycle | 3.5 ns | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Boîtier | 200-TFBGA (10 mm x 14.5 mm) | 200-TFBGA (10 mm x 14.5 mm) |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +105C (AAT:D grade) |
| Temperature Grade | Automotive (AUT) | — |
| Self-Refresh | Auto self-refresh | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| VDDQ Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VDDQ supply voltage] | — |
| VDD Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| AEC-Q100 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] | — |
| Cycle Time | — | 3.5 ns |
| Supply Voltage VDD | — | 1.1 V |
| Supply Voltage VDDQ (LPDDR4) | — | 1.1 V |
| Supply Voltage VDDQ (LPDDR4X) | — | 0.6 V |
| Core Voltage VDD2 | — | 1.8 V |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 (AUT:D variant verified; AAT:D automotive grade per Micron catalog) |
| Memory Configuration Speed Grade | — | -046 (2133) |