MT53E256M32D2DS-053 WT:B vs MT53E128M32D2DS-053 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT53E256M32D2DS-053 WT:B par Micron Technology et MT53E128M32D2DS-053 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT53E256M32D2DS-053 - 8Gb LPDDR4 DRAM 1.866GHz | Micron
MT53E256M32D2DS-053 WT:B ✓ ActifMicron Technology
MT53E128M32D2DS-053 - 4Gb LPDDR4/LPDDR4X DRAM | Micron
MT53E128M32D2DS-053 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT53E256M32D2DS-053 WT:B | MT53E128M32D2DS-053 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $21,90 | $3,55 |
| Type de mémoire | LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) | Mobile LPDDR4 / LPDDR4X SDRAM (unified) |
| Density | 8 Gbit (256M x 32) | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 32 | 128M x 32 |
| Débit de données | 1866 Mbps/pin (1.866 GHz) | 1.866 GHz (1866 Mbps/pin) |
| Supply Voltage (VDD2/VDDQ) | 1.1 V | — |
| Operating Temperature (WT grade) | -30C to +85C | — |
| Boîtier | 200-ball WFBGA, 10 x 14.5 mm | 200-ball WFBGA (10 x 14.5 mm) |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Self-Refresh | Auto self-refresh with built-in temperature sensor | — |
| Caractéristiques | Auto precharge, write leveling, ZQ calibration | — |
| Bus Width | 32-bit | — |
| Peak Bandwidth (per device) | approximately 7.46 GB/s (32-bit x 1866 Mbps) | — |
| Statut RoHS | Compliant (per JLCPCB/LCSC listing) | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CL at 1866 Mbps] | — |
| Refresh Interval | [DATA_NEEDED: tREFI specification] | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: max package height] | — |
| Speed Grade | — | -053 |
| VDDQ (LPDDR4X mode) | — | 0.6 V |
| VDDQ (LPDDR4 mode) | — | 1.10 V |
| VDD | — | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| Configuration | — | DDP (double-die package) |
| Automotive Variant | — | MT53E128M32D2DS-053 AUT:A / AAT:A / AIT:A available |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh mode 8x/16x] |
| Access Type | — | Synchronous, bank-group burst |