N25Q032A13EV7A0 vs N25Q032A11ESEA0F Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de N25Q032A13EV7A0 par Micron Technology et N25Q032A11ESEA0F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
N25Q032A13EV7A0 N25Q032A13EV7A0 - 32Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EV7A0 - 32Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EV7A0 ✓ Actif
Micron Technology
N25Q032A11ESEA0F N25Q032A11ESEA0F - 32Mb 1.8V SPI NOR Flash | Micron

N25Q032A11ESEA0F - 32Mb 1.8V SPI NOR Flash | Micron

N25Q032A11ESEA0F ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre N25Q032A13EV7A0 N25Q032A11ESEA0F
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie EEPROM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,35 $0,84
Type de mémoire NOR Flash (SPI) NOR Flash, Serial SPI
Density 32 Mbit (4 MB) 32 Mb (4 MB)
Organisation de la mémoire 8M x 4 die 32M x 1 / 16M x 2 / 8M x 4 bit
Interface SPI SPI, Dual SPI, Quad SPI (Multiple I/O)
Max Clock Frequency 108 MHz 108 MHz
Tension d'alimentation 2.7 V to 3.6 V 1.7 V to 2.0 V (1.8 V nominal)
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +85C
Boîtier VDFPN8 (8-lead MLP8) 8-SOP2 (SOP-II, 208 mil)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Memory Format Flash (NOR) —
Write Cycle Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Access Time [DATA_NEEDED: read access time] 7 ns
Program/Erase Modes Page program, sector erase, bulk erase —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL] —
Packaging Tape & Reel (tray options may exist) Tape & Reel
Sector Erase Size — 4 KB
Nombre de broches — 8
Storage Temperature — -65C to +150C
Protocol Support — Standard, Dual Output, Quad Output SPI

Fiches techniques et ressources

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