N25Q064A13ESFA0F vs N25Q064A13E12A0F Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de N25Q064A13ESFA0F par Micron Technology et N25Q064A13E12A0F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
N25Q064A13ESFA0F N25Q064A13ESFA0F - 64Mb 108MHz SPI NOR Flash | Micron

N25Q064A13ESFA0F - 64Mb 108MHz SPI NOR Flash | Micron

N25Q064A13ESFA0F ✓ Actif
Micron Technology
N25Q064A13E12A0F N25Q064A13E12A0F - 64Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q064A13E12A0F - 64Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q064A13E12A0F ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre N25Q064A13ESFA0F N25Q064A13E12A0F
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie EEPROM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,10 $2,85
Type de mémoire NOR Flash, Serial SPI Nonvolatile NOR Flash
Density 64 Mbit (8 MB) 64 Mbit (8 MB)
Organisation de la mémoire 64M x 1 / 32M x 2 / 16M x 4 —
Interface SPI, Dual SPI, Quad SPI SPI (Standard, Dual, Quad I/O)
Fréquence d'horloge maximale 108 MHz 108 MHz
Tension d'alimentation 3 V / 3.3 V 3 V
Sector Erase Size 4 KB —
Block Erase Size 64 KB —
Température de fonctionnement -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Qualification AEC-Q100 (Automotive) —
Boîtier 16-pin SOIC Wide (400 mil) 24-T-PBGA (6x8 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T&R) —
XIP Support Yes (execute-in-place mode) Yes (execute-in-place mode)
Hardware Reset Yes (RESET# pin) —
Deep Power-Down Yes —
Statut RoHS Compliant —
Program/Erase Suspend — Supported (per datasheet)
Write Protection — Hardware and software protection
Reel Indicator (F suffix) — Pb-free / RoHS per Micron coding
Packaging Option — Tape and Reel (TR)
Sector Size — [DATA_NEEDED: sector size]
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active read current]

Fiches techniques et ressources

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