N25Q512A83GSFA0F vs N25Q512A13G12A0F Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de N25Q512A83GSFA0F par Micron Technology et N25Q512A13G12A0F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
N25Q512A83GSFA0F N25Q512A83GSFA0F - 512Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q512A83GSFA0F - 512Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q512A83GSFA0F ✓ Actif
Micron Technology
N25Q512A13G12A0F N25Q512A13G12A0F - 512Mb SPI NOR Flash 108MHz AEC-Q100 | Micron

N25Q512A13G12A0F - 512Mb SPI NOR Flash 108MHz AEC-Q100 | Micron

N25Q512A13G12A0F ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre N25Q512A83GSFA0F N25Q512A13G12A0F
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $0,00
Type de mémoire FLASH - NOR (Serial SPI) NOR Flash - Serial SPI
Taille de mémoire 512Mb (128M x 4) —
Technology SLC NOR Flash —
Interface SPI - Multiple I/O SPI, Dual SPI, Quad SPI
Max Clock Frequency 108 MHz 108 MHz
Tension d'alimentation 2.7 V to 3.6 V 3V / 3.3V
Write Cycle Time - Word, Page 8 ms, 5 ms —
Sector Erase Size 4 KB 4 KB
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Boîtier 16-SO (SOIC DDP) 24-ball TFBGA (6x8 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Memory Format FLASH —
Organisation de la mémoire 128M x 4 512M x 1 / 256M x 2 / 128M x 4 bit
Non-Volatile Category Non-Volatile Memory —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Package Body Size [DATA_NEEDED: package body dimensions] —
Density — 512 Mbit (64 MB)
Access Time — 8 ns
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Number of Terminals — 24
Packaging — Tape & Reel (TR)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

Fiches techniques et ressources

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