NT5CC256M16CP-DINA vs NT5CC256M16DP-DI Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16CP-DINA par Nanya Technology et NT5CC256M16DP-DI par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DINA NT5CC256M16CP-DINA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DINA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DINA ✓ Actif
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre NT5CC256M16CP-DINA NT5CC256M16DP-DI
Marque Nanya Technology Nanya Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,90 $6,50
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Tension d'alimentation 1.35 V (DDR3L), backward compatible to 1.5 V 1.35V
Débit de données 1600 Mbps (DDR3-1600) 1600 Mbps/pin (800MHz)
Latence CAS 11 11, 12, 13 (programmable)
Burst Length 8 8, 4 (with burst chop)
Boîtier TFBGA-96, 9 x 13 mm, 0.8 mm pitch VFBGA-96
Plage de température de fonctionnement -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) -40°C to +95°C (industrial)
RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes —
Process Technology 70nm —
Interface CMOS Differential clock (CK, CK#)
Access Time 0.225 ns —
Type de montage Surface Mount —
Number of Banks — 8
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes (ODT)
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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