PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH165VP-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de PDRQL8KCBF12-00 par Samsung Electronics et K4RAH165VP-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH165VP-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VP-BCWM ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH165VP-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $18,00 | $24,61 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 1G x 16 |
| Débit de données | 7200 MT/s | 5600 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Boîtier | FBGA | FBGA-106 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +85C |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Interface | Pseudo-differential DQ | DDR5 (Double Data Rate 5) |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Generation | — | DDR5, 16Gb B-die family |
| Access Type | — | Synchronous, DLL enabled mode |
| Application Class | — | Mobile, tablet, consumer electronics DRAM |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |