SN74CBTLV3257PWR vs 74CB3Q3257BQX Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de SN74CBTLV3257PWR par Texas Instruments et 74CB3Q3257BQX par Nexperia. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
SN74CBTLV3257PWR SN74CBTLV3257PWR - 4-Bit 2:1 FET Mux 5Ω | TI

SN74CBTLV3257PWR - 4-Bit 2:1 FET Mux 5Ω | TI

SN74CBTLV3257PWR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre SN74CBTLV3257PWR 74CB3Q3257BQX
Marque Texas Instruments Nexperia
Catégorie Logic ICs Logic ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,27 $0,47
Fonction 4-Bit 1-of-2 FET Multiplexer/Demultiplexer FET bus switch / multiplexer-demultiplexer
Canaux 4 x 2:1 (SPDT) —
ON-State Resistance 5 ohm (typical) —
Supply Voltage Range 2.3 V to 3.6 V —
I/O Voltage Tolerance 5 V (over-voltage tolerant) —
Propagation Delay 0.25 ns (typical) —
Partial Power-Down Mode Yes (I/Os high-impedance at VCC = 0 V) —
Output Enable Yes (OE, active-high) —
Select Input Yes (S pin) —
Architecture Pass-gate FET, bidirectional —
Température de fonctionnement -40C to +85C -40 C to +85 C
Boîtier 16-TSSOP (PW), 5 mm x 6.4 mm 16-DHVQFN (2.5 x 3.5 mm), SOT763
Package Pitch 0.65 mm —
Type de montage Surface Mount —
Statut RoHS Compliant Compliant
Statut du cycle de vie Active —
Configuration — 4 x 2:1 (SPDT), 4 channels
On-Resistance (Ron) — 4 ohm typical
Ron Flatness — Improved (charge-pump biased)
Bandwidth — [DATA_NEEDED: bandwidth MHz]
Supply Voltage (VCC) — 2.3 V to 3.6 V
Signal Pass Voltage — Up to 5 V (when VCC = 3.3 V)
Input Type — CMOS control, TTL-compatible threshold
Select Input (S) — 1 (shared across 4 channels)
Output Enable (OE) — 1, active-HIGH disables all channels
Ioff / Partial Power Down — Supported
ESD Protection — [DATA_NEEDED: ESD rating kV]
Lead-Free — Yes
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fiches techniques et ressources

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