TLE9180D31QKXUMA1 vs TLE9180D32QKXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de TLE9180D31QKXUMA1 par Infineon et TLE9180D32QKXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre TLE9180D31QKXUMA1 TLE9180D32QKXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Motor Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,31 $4,71
Fonction Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Non-Inverting, 6 half-bridge channels —
Driven MOSFETs 6 N-channel (3-phase inverter) —
Supply Voltage (VS) 5.5 V to 60 V —
Transient Bridge/Motor Pin Tolerance up to 90 V —
Source/Sink Current 1 A / 1 A —
Température de fonctionnement -40C to +150C -40 C to +150 C junction
Boîtier PG-LQFP-64-27 (LQFP-64-EP, 10x10 mm) PG-LQFP-64-27 (LQFP-64 EP)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Interface SPI (configuration, diagnostics, fault readback) SPI (16-bit) with diagnostics
Built-in Protections Under-voltage, Over-voltage, Over-temperature, Short-circuit, Cross-conduction —
Current Sensing Integrated current-sense amplifier —
Functional Safety ISO 26262 compliant ASIL-C capable (per ISO 26262)
Dead-Time Control Programmable —
Charge Pump Integrated (supports 100% duty) —
Statut RoHS Compliant —
Number of Channels — 6 (3 high-side + 3 low-side)
Driver Configuration — Half-Bridge, 3-phase
Supply Voltage Range (VS) — 5.5 V to 72 V
Maximum Pin Voltage — 90 V (bridge, motor and supply pins)
Gate Drive Current — 1 A source/sink
Battery Support — 12 V, 24 V and 48 V systems
Current Sense Amplifier — Integrated, adjustable gain
Package Dimensions — 10 mm x 10 mm x 1.4 mm
AEC-Q100 — Qualified
RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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