TLP183(GB-TPL,E vs TLP183(GB-TPLE(T Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de TLP183(GB-TPL,E par Toshiba et TLP183(GB-TPLE(T par Toshiba. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre TLP183(GB-TPL,E TLP183(GB-TPLE(T
Marque Toshiba Toshiba
Catégorie Optocouplers Optocouplers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,09 $0,22
Product Type Phototransistor Output Optocoupler —
Number of Channels 1 1
Isolation Voltage (rms) 3750 Vrms —
Boîtier 6-SOP (4-lead SO6), surface mount SO6 (4 effective pins)
CTR Rank GB (100% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V) —
Forward Current (IF) max 50 mA 50 mA
Reverse Voltage (VR) max 5 V —
Collector-Emitter Voltage (VCEO) max 80 V —
Emitter-Base Voltage (VEBO) max 7 V —
Collector Current (IC) max 50 mA —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +125°C —
Input LED Type GaAs infrared emitting diode —
Output Transistor Type Silicon NPN phototransistor —
Type de montage Surface Mount (SMT) Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TPL suffix) —
Statut RoHS RoHS compatible Compliant
Applications PLC, AC Adapter, I/O Interface, Office Machine —
Isolation Voltage — 3750 Vrms
Type de sortie — Phototransistor (NPN)
Tension collecteur-émetteur (Vceo) — 80 V (min)
Forward Voltage (VF) typ — 1.25 V at IF = 10 mA
CTR Bin (GB) — 100% to 300% at IF = 5 mA, VCE = 5 V
Température de fonctionnement — -55 °C to +125 °C
Input Type — DC
Rise Time (ton) typ — [DATA_NEEDED: rise/fall time in microseconds]
Fall Time (toff) typ — [DATA_NEEDED: fall time in microseconds]
Power Dissipation (Output) max — [DATA_NEEDED: Pc max in mW]
Niveau MSL — 1
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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