TLP183(GR) vs TLP183(GB-TPL Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de TLP183(GR) par Toshiba et TLP183(GB-TPL par Toshiba. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre TLP183(GR) TLP183(GB-TPL
Marque Toshiba Toshiba
Catégorie Optocouplers Optocouplers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,20 $0,12
Type de sortie Phototransistor (DC input, transistor output) Phototransistor (BJT)
Number of Channels 1 1
Isolation Voltage 3750 Vrms (minimum) 3750 Vrms
Current Transfer Ratio (CTR) 50% minimum @ IF=0.5 mA, VCE=5 V (GR bin: 100-300% @ IF=5 mA) —
Tension collecteur-émetteur (Vceo) 80 V minimum 80 V max
Emitter-Collector Voltage (VECO) 6 V minimum 7 V max
Collector Current 50 mA maximum —
Forward Current (IF) 50 mA maximum 50 mA max
Forward Voltage (VF) [DATA_NEEDED: typical VF @ IF=10 mA] 1.25 V typ at IF=10 mA
Switching Time (tR, tF) 2 us typical —
Température de fonctionnement -55C to +125C -55 C to +125 C
Boîtier SO6 (4-pin surface mount) 6-SO (SO6, 4-pin functional)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS Compliant Compliant
CTR Bin GR —
Manufacturer — Toshiba Semiconductor and Storage
Product Type — Phototransistor Output Optocoupler
Input Type — DC (InGaAs Infrared LED)
Reverse Voltage (VR) — 6 V max
Courant de collecteur (Ic) — 50 mA max
CTR (Current Transfer Ratio) — 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank
Storage Temperature — -55 C to +150 C
CTR Rank — GB (50-600% range)
Rise Time (tr) — 5 us typ
Fall Time (tf) — 5 us typ
Tape and Reel Packaging — TPL (L direction, 3000 pcs/reel)
Packing Option Code — E (RoHS)

Fiches techniques et ressources

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