TMS320F28335PTPQ vs TMS320F28335PGFA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de TMS320F28335PTPQ par Texas Instruments et TMS320F28335PGFA par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Texas Instruments
TMS320F28335PTPQ - 150MHz C2000 DSC MCU, 512KB Flash | TI
TMS320F28335PTPQ ✓ ActifTexas Instruments
TMS320F28335PGFA - 150MHz 32-bit C2000 DSC MCU | Texas Instruments
TMS320F28335PGFA ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | TMS320F28335PTPQ | TMS320F28335PGFA |
|---|---|---|
| Marque | Texas Instruments | Texas Instruments |
| Catégorie | Microcontrollers | Microcontrollers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $35,20 | $14,20 |
| Core Processor | C28x C2000 Delfino | — |
| Core Size | 32-Bit | — |
| Fréquence d'horloge maximale | 150 MHz | 150 MHz (150 MIPS) |
| Processing Performance | 150 MIPS | — |
| Floating Point Unit | Yes (hardware FPU) | — |
| Flash Memory | 512KB (256K x 16) | 512 KB (256K x 16) |
| SRAM | 68KB | 68 KB |
| ADC Resolution | 12 bit | 12 bit |
| ADC Channels | 16 | up to 16 |
| PWM Outputs | Up to 18 | 18 (including HRPWM) |
| External Memory Interface | Yes (EMIF) | EMIF |
| DMA Channels | 6 | — |
| Core Supply Voltage | 1.9 V | 1.9 V |
| I/O Supply Voltage | 3.3 V | 3.3 V |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +85C |
| Qualification | AEC-Q100 Grade 1 (automotive) | — |
| Boîtier | 176-HLQFP (PTP), 24x24 mm | 176-LQFP (24x24 mm, PGF) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Safety Features | Watchdog timer, code security module, real-time interrupt | — |
| Core | — | C28x (C2000 Delfino) |
| Largeur du bus de données | — | 32 bit |
| Floating-Point Unit | — | Yes (single-precision FPU) |
| Communication Interfaces | — | CAN, SPI, SCI (UART), I2C, McBSP |
| Typical Power Consumption | — | approx. 300 mW at full speed |
| Process Technology | — | TI 180 nm static CMOS |