W634GU6RB12I vs NT5CC256M16DP-DI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de W634GU6RB12I par Winbond et NT5CC256M16DP-DI par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | W634GU6RB12I | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,60 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Débit de données | 800 MHz (DDR3L-1600) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.35V |
| Row Cycle Time (tRC) | 20 ns | — |
| Boîtier | 96-VFBGA (7.5x13mm) | VFBGA-96 |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C (TCASE) | — |
| Interface | Parallel | Differential clock (CK, CK#) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Speed Grade | -12I (DDR3L-1600 11-11-11) | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latence CAS | 11 | 11, 12, 13 (programmable) |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| Density | — | 4Gb |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |