10M16DCF256C7G vs 10M08DCF256C8G तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 10M16DCF256C7G द्वारा Intel और 10M08DCF256C8G द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 10M16DCF256C7G | 10M08DCF256C8G |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | MAX 10 | — |
| Logic Elements | 16,000 | 8,000 |
| Adaptive Logic Modules (ALMs) | 10,000 | — |
| Embedded Memory (M9K blocks) | 378 Kbits / 42 blocks | — |
| Total Embedded Memory Bits | 562,176 bits | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 45 | — |
| Maximum User I/Os | 178 | — |
| General-Purpose PLLs | 4 | — |
| Analog Front-End Blocks (ADC) | 2 (12-bit, 1 MSPS) | — |
| Configuration Flash | Dual-configuration, internal | — |
| पैकेज | 256-FBGA (F256), 17 x 17 mm, 1.0 mm pitch | 256-LBGA (F256, FineLine BGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| Auxiliary / I/O Voltages | 1.2 V to 3.3 V | — |
| Operating Temperature (Commercial) | 0C to +85C (C7G suffix) | — |
| Process Technology | TSMC 55 nm embedded flash | TSMC 55 nm embedded flash CMOS |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Series | — | MAX 10 |
| Embedded Memory (bits) | — | 387,072 (378 Kbits user flash + block SRAM) |
| User I/O Count | — | 178 |
| Pitch | — | 1.0 mm |
| Speed Grade | — | C8 (commercial, slowest speed bin) |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.2 V |
| I/O Bank Voltage (VCCIO) | — | 1.2 V to 3.3 V (per bank) |
| Configuration | — | Internal flash (instant-on, non-volatile) |
| ADC | — | Dual 12-bit SAR, up to 17 analog inputs |
| 18x18 Multipliers | — | 8 |
| PLLs | — | 2 |
| Global Clock Networks | — | 4 |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0C to +85C (commercial) |
| Design Software | — | Intel Quartus Prime (Lite / Standard / Pro) |
| MSL स्तर | — | 3 (168 hours) |