2EDN7534FXTMA1 vs 2ED21834S06JXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2EDN7534FXTMA1 द्वारा Infineon और 2ED21834S06JXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2EDN7534FXTMA1 2EDN7534FXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver DSO-8 | Infineon

2EDN7534FXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver DSO-8 | Infineon

2EDN7534FXTMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
2ED21834S06JXUMA1 2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21834S06JXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2EDN7534FXTMA1 2ED21834S06JXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Driver Type Low-Side, Dual Channel —
Number of Drivers 2 —
Peak Output Current 5 A (source/sink) —
Supply Voltage (VDD) 4.5 V to 20 V —
Input Voltage Range (logic pins) -12 V to +22 V (absolute max) —
Propagation Delay (typical) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Output Polarity Non-Inverting —
Output Voltage Clamping Active, to VDD —
Rise Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Channel-to-Channel Skew [DATA_NEEDED: channel skew] —
Under-Voltage Lockout Yes —
इनेबल पिन Yes —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C —
पैकेज PG-DSO-8 PG-DSO-14-49 (DSO-14)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
पिन की संख्या — 14
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40 °C to +125 °C
Standard Reel Quantity — 3000

डेटाशीट और संसाधन

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