5CEBA4F17I7 vs 10M08DCF256C8G तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 5CEBA4F17I7 द्वारा Intel और 10M08DCF256C8G द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 5CEBA4F17I7 | 10M08DCF256C8G |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Series | Cyclone V E | MAX 10 |
| Family | 5CEA4 | — |
| Logic Elements (LE) | 49,000 | — |
| Embedded Memory Bits | 3,464,192 | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 128 | — |
| PLLs | 4 | 2 |
| User I/O Banks | 2 | — |
| Process Technology | 28 nm TSMC low-power | TSMC 55 nm embedded flash CMOS |
| Core Voltage | 1.1 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +100C (industrial, 'I' grade) | 0C to +85C (commercial) |
| Speed Grade | 7 | C8 (commercial, slowest speed bin) |
| पैकेज | 256-LBGA (F17, 17x17 mm, 1.0 mm pitch) | 256-LBGA (F256, FineLine BGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Configuration Modes | AS, PS, FPP, JTAG | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Logic Elements | — | 8,000 |
| Embedded Memory (bits) | — | 387,072 (378 Kbits user flash + block SRAM) |
| User I/O Count | — | 178 |
| Pitch | — | 1.0 mm |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.2 V |
| I/O Bank Voltage (VCCIO) | — | 1.2 V to 3.3 V (per bank) |
| Configuration | — | Internal flash (instant-on, non-volatile) |
| ADC | — | Dual 12-bit SAR, up to 17 analog inputs |
| 18x18 Multipliers | — | 8 |
| Global Clock Networks | — | 4 |
| Design Software | — | Intel Quartus Prime (Lite / Standard / Pro) |
| MSL स्तर | — | 3 (168 hours) |