BAP64-03,115 vs BAP51-03,115 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BAP64-03,115 द्वारा NXP Semiconductors और BAP51-03,115 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

NXP Semiconductors
BAP64-03,115 BAP64-03,115 - 175V Silicon PIN Diode SOD-323 | NXP

BAP64-03,115 - 175V Silicon PIN Diode SOD-323 | NXP

BAP64-03,115 ✗ जीवन की समाप्ति
NXP Semiconductors
BAP51-03,115 BAP51-03,115 - 50V RF PIN Diode SOD-323 AEC-Q101 | NXP

BAP51-03,115 - 50V RF PIN Diode SOD-323 AEC-Q101 | NXP

BAP51-03,115 ✗ जीवन की समाप्ति

विशेषता तुलना

पैरामीटर BAP64-03,115 BAP51-03,115
ब्रांड NXP Semiconductors NXP Semiconductors
श्रेणी Diodes Diodes
लाइफसाइकिल स्थिति उत्पादन बंद उत्पादन बंद
Device Type Silicon PIN diode (RF) —
फ़ंक्शन Current-controlled RF resistor for attenuators and switches —
Reverse Voltage (VR) 175 V 50 V
Forward Current (IF) 100 mA 50 mA
Power Dissipation 500 mW —
Diode Capacitance (Cd) max 0.35 pF —
Forward Resistance (RF resistance @ IF) 0.7 ohm —
Series Inductance Low (per NXP feature list) —
Configuration Single PIN diode —
पैकेज SOD-323 (SC-76) SOD-323 (SC-76), 2-pin
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Terminals 2 (gull-wing, dual) —
हैलोजन फ्री Compliant —
RoHS स्थिति Compliant (,115 ordering suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Standard Pack Quantity 3000 (7 inch reel) —
लाइफसाइकिल स्थिति End of Life (per NXP product page) —
Diode Type — RF PIN diode, single
Application Category — General RF applications
पावर डिसिपेशन (Ptot) — 500 mW
Diode Capacitance (Cd) max @ VR, f — 0.55 pF
Forward Resistance (Rs) @ IF — 5.5 ohm
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -65 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Package Body Dimensions — 1.7 mm x 1.25 mm x 0.95 mm
Lead Pitch — 1.3 mm
Terminal Form — Gull wing
Shipping Packaging — Tape and Reel
Forward Voltage (VF) max — [DATA_NEEDED: forward voltage]

डेटाशीट और संसाधन

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