BSZ031NE2LS5ATMA1 vs BSO220N03MDGXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ031NE2LS5ATMA1 द्वारा Infineon और BSO220N03MDGXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 - 25V N-Ch 3.1mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSZ031NE2LS5ATMA1 - 25V N-Ch 3.1mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSZ031NE2LS5ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 - 30V Dual N-Ch MOSFET 7.7A | Infineon

BSO220N03MDGXUMA1 - 30V Dual N-Ch MOSFET 7.7A | Infineon

BSO220N03MDGXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSZ031NE2LS5ATMA1 BSO220N03MDGXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ031NE2LS5ATMA1 —
Technology / Platform OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 3.1 mOhm —
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 30 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 C to +150 C —
पैकेज PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL] 1 (unlimited)
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
हैलोजन फ्री Yes —
Series — OptiMOS™ 3M
Configuration — Dual N-Channel (2N-CH), independent
Drain-Source Voltage (V_DS) — 30 V
Continuous Drain Current (I_D) — 7.7 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 22 mΩ max @ V_GS=10V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: Q_G nC]
Power Dissipation (P_D) — 1.4 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +150C (junction)
Technology — OptiMOS™ 3M (Trench MOSFET)
Avalanche Rated — Yes

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