DRV8308RHAT vs DRV8303DCAR तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना DRV8308RHAT द्वारा Texas Instruments और DRV8303DCAR द्वारा Texas Instruments. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Texas Instruments
DRV8308RHAT DRV8308RHAT - 42V Sensored BLDC Gate Driver w/ SPI | Texas Instruments

DRV8308RHAT - 42V Sensored BLDC Gate Driver w/ SPI | Texas Instruments

DRV8308RHAT ✓ सक्रिय
Texas Instruments
DRV8303DCAR DRV8303DCAR - 65V 3-Phase Gate Driver w/ Dual CSA & SPI | TI

DRV8303DCAR - 65V 3-Phase Gate Driver w/ Dual CSA & SPI | TI

DRV8303DCAR ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर DRV8308RHAT DRV8303DCAR
ब्रांड Texas Instruments Texas Instruments
श्रेणी Motor Drivers Motor Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Product Type BLDC motor pre-driver / gate driver Three-phase gate driver (pre-driver) with dual current-shunt amplifiers
Motor Type 3-phase brushless DC (BLDC) —
Supply Voltage Range 8.5 V to 32 V —
Absolute Maximum Supply Voltage 42 V —
आउटपुट की संख्या 3 (3-phase) —
Gate-Drive Current 10 mA to 130 mA (configurable) —
Number of External FETs Driven 6 (N-channel MOSFETs) —
Control Interface SPI —
Commutation Method Sensored trapezoidal + sensorless sinusoidal via 1 Hall sensor —
Hall Sensor Inputs 3 (60-deg or 120-deg configurable) —
पैकेज VQFN-40 (RHA) 6x6 mm with thermal pad HTSSOP-48 (DCA) with PowerPAD, 12.5 mm × 6.1 mm
ऑपरेटिंग तापमान -40 C to +85 C —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 2 (per JEDEC J-STD-020) 3 (per TI product page)
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
टोपोलॉजी — Three half-bridge pre-drivers for external N-channel MOSFETs
Peak Source Gate Current — 1.7 A
Peak Sink Gate Current — 2.3 A
Maximum Supply Voltage (VBS/VGLS abs max) — 65 V
Operating Supply Voltage (VM) — 6 V to 60 V
Logic Supply Voltage (VDD) — 3.3 V or 5 V (1.8 V compatible inputs)
Number of Half-Bridge Channels — 3
Integrated Current-Shunt Amplifiers — 2 (bidirectional, programmable gain)
Current-Shunt Amplifier Gain Settings — 5 / 10 / 20 / 40 V/VIA (SPI configurable)
इंटरफ़ेस — SPI (configuration) + 6 PWM inputs (EN, IN, GH)
Bootstrap Architecture — Integrated bootstrap diode with trickle-charge pump, supports 100% duty cycle
Dead-Time Control — Programmable via SPI
Protection Features — UVLO (gate-drive and bootstrap), OC (programmable), OT warning, OT shutdown, phase fault from SPIs
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40 °C to +125 °C
RoHS स्थिति — Compliant
Lead-Free — Yes

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