EP3SE110F780I2N vs EP3SE110F780I3N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE110F780I2N द्वारा Intel और EP3SE110F780I3N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Intel
EP3SE110F780I3N - 107.5K Logic Elements, 780-FBGA FPGA | Intel Stratix III E
EP3SE110F780I3N Nrndविशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3SE110F780I2N | EP3SE110F780I3N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | NRND |
| Family | Stratix III Enhanced | Stratix III E |
| Logic Elements | 107,500 | 107,500 |
| Logic Array Blocks (LABs) | 4,300 | 4,300 |
| Embedded Memory (M9K + M144K) | 8,244 Kbits | — |
| Embedded Multipliers (18x18) | 528 | — |
| User I/O Pins | 488 | — |
| Transceiver Channels | 12 (up to 8.5 Gbps) | — |
| PLLs | 8 | Yes, with global and regional clock networks |
| Hard Memory Controllers | 4 | — |
| पैकेज | 780-ball FBGA (29x29 mm) | 780-pin FC-FBGA (Flip-Chip FineLine BGA) |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +100C (Industrial) | -40 °C to +100 °C (Industrial, "I" grade) |
| Speed Grade | 2 | 3 (Fast) |
| Process Technology | 40 nm CMOS | 65 nm CMOS |
| Supply Voltage (Core) | [DATA_NEEDED: VCCINT nominal] | — |
| LVDS Support | Up to 1.4 Gbps | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Embedded Memory Bits | — | 8,936,448 (approximately 1.1 MB) |
| Maximum User I/Os | — | 488 |
| Core Voltage | — | 1.1 V (range 1.05 V to 1.15 V) |
| Configuration Interface | — | Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP), JTAG (IEEE 1149.1) |
| Boundary-Scan Test | — | Yes, per IEEE Std. 1149.1 |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount (BGA) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Supply Voltage Tolerance | — | 1.05 V to 1.15 V |