EP3SE260H780C4LN vs EP3SE260H780C3 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE260H780C4LN द्वारा Intel और EP3SE260H780C3 द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3SE260H780C4LN | EP3SE260H780C3 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | अंतिम बार खरीदें | सक्रिय |
| Family | Stratix III E | — |
| Logic Elements | 255,000 | 255,000 |
| Embedded Memory | 16,672,768 bits (16.67 Mbit) | 16,672,768 bits (16.67 Mbit) |
| Logic Array Blocks (LABs) | 10,200 | 10200 |
| Embedded Multipliers (18x18) | 384 | — |
| User I/O Count | 488 | — |
| पैकेज | 780-ball FCBGA (FineLine BGA) | 780-ball FCBGA (HBGA), flip-chip |
| Speed Grade | C4 (commercial, moderate speed) | C3 |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C (commercial) | Commercial, 0C to +85C |
| Core Voltage (VCC) | 1.0 V | — |
| I/O Voltage (VCCIO) | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (bank-dependent) | — |
| Auxiliary Voltage (VCCPD/VCCPT) | 2.5 V / 3.0 V | — |
| PLLs | 8 | — |
| Global Clock Networks | 16 | — |
| Process Node | 40 nm TSMC | — |
| Configuration Modes | FPP, AS, PS, JTAG | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (per product listings) |
| MSL स्तर | 3 (168 hours) | — |
| Device Family | — | Stratix III Enhanced (Stratix III E) |
| Series | — | EP3SE |
| User I/Os | — | 488 |
| Operating Voltage (Core) | — | 0.9 V |
| Operating Voltage (Auxiliary) | — | 1.1 V |
| Process Technology | — | 65 nm CMOS |
| Maximum Core Frequency | — | 500 MHz |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount (BGA) |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) | — | 3 (168 hours) |
| Packaging Type | — | Tray |
| Configuration Memory Support | — | Fast passive parallel, JTAG, Active Serial |