EP4CE115F23C8N vs EP4CE75F23C7 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CE115F23C8N द्वारा Intel और EP4CE75F23C7 द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CE115F23C8N | EP4CE75F23C7 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Series | Cyclone IV E | — |
| Logic Elements | 114,480 LE | — |
| Embedded Memory | 3,981,312 bits (3.8 Mbit) | — |
| User I/O Count | 280 | — |
| Number of Logic Array Blocks (LABs) | [DATA_NEEDED: LAB count] | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 432 | 244 |
| General-purpose PLLs | 4 | — |
| Process Node | 60 nm | — |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| पैकेज | 484-ball FineLine BGA (F23) | 484-ball FBGA, 23 x 23 mm, 1.0 mm pitch |
| Ball Pitch | 1.0 mm | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C (Commercial) | — |
| Speed Grade | C8 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Family | — | Cyclone IV E |
| Device Logic Elements | — | 75,408 |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 4,713 |
| Embedded Memory Bits | — | 2,810,880 bits |
| M9K Memory Blocks | — | 305 |
| PLLs | — | 4 |
| Maximum User I/O | — | 292 |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.2 V |
| Process Technology | — | 60 nm low power (TSMC) |
| Operating Temperature Grade | — | Commercial (0C to 85C) |
| Configuration Modes | — | AS, AP, FPP, PS |
| JTAG Support | — | IEEE 1149.1 boundary-scan |
| Maximum Internal Frequency | — | 472.5 MHz |