EP4CE75F29I7 vs EP4CE75F29I8LN तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CE75F29I7 द्वारा Intel और EP4CE75F29I8LN द्वारा Altera. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CE75F29I7 | EP4CE75F29I8LN |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Altera |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Series | Cyclone IV E | — |
| Manufacturer | Intel (formerly Altera) | — |
| Logic Elements (LEs) | 75,408 | — |
| Embedded Memory (bits) | 2,810,880 | — |
| Embedded Memory Blocks | 274 (M9K) | — |
| Embedded 18×18 Multipliers | 200 | — |
| PLLs | 4 | 4 |
| User I/O Count | 426 | 426 |
| पैकेज | 780-ball FBGA (FineLine BGA) | 780-ball FBGA (F29), 29x29 mm, 1.0 mm pitch |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40 °C to +100 °C (Industrial) | -40C to +100C (Industrial) |
| Process Node | 60 nm low-power CMOS | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.0 V / 1.2 V selectable | — |
| Configuration Modes | JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS) | — |
| I/O Standards Supported | LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL | — |
| External Memory Interfaces | DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| MSL स्तर | 3 (168 hours) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Family | — | Cyclone IV E |
| Device Logic Elements | — | 75,408 |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 4,713 |
| Embedded Memory Bits | — | 2,810,880 bits |
| Embedded Multipliers (18x18) | — | 244 |
| Process Technology | — | 60 nm |
| Core Supply Voltage | — | 1.2 V |
| Lead Free / RoHS | — | Yes / Compliant |
| Speed Grade | — | 8 |
| Configuration Mode | — | AS, PS, JTAG, FPP |
| Bitstream Encryption | — | AES-128 supported |