H5TC4G63CFR-XXJ vs MT41K256M16TW-107 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63CFR-xxJ द्वारा SK hynix और MT41K256M16TW-107 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5TC4G63CFR-xxJ H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ ✓ सक्रिय
Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5TC4G63CFR-xxJ MT41K256M16TW-107
ब्रांड SK hynix Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $14.10
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
संगठन 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Clock Input Fully differential (CK, CK#) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS#) —
On-Chip DLL Yes —
DM Mask Yes —
पैकेज 96-ball FBGA 96-FBGA (8x14 mm)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज 0°C to 95°C (case) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
हैलोजन फ्री Yes —
Speed Grade [DATA_NEEDED: speed grade for -xxJ suffix] —
CAS लेटेंसी [DATA_NEEDED: CAS latency options] —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) —
On-Die Termination Yes —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
मेमोरी आकार — 4 Gbit
इंटरफ़ेस — Parallel
Clock Frequency — 933 MHz (DDR3L-1866)
Access Time — 20 ns
सप्लाई वोल्टेज — 1.35 V
डेटा बस चौड़ाई — 16 bit
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान — 0C to +95C (commercial :P grade)
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
RoHS स्थिति — [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL level]

डेटाशीट और संसाधन

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