IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN04S7L009ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN04S7L050HATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 - 40V 275A 0.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN04S7L009ATMA1 | IAUCN04S7L050HATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUCN04S7L009ATMA1 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 7 (trench-gate) | Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) | 275 A (Tj) | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) | 175 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) | 129 W | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | 0.91 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) | PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 (family-level, automotive grade) |
| MSL स्तर | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS™ 7 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C | — | 65 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.04 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 40 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +175 °C |