IAUZ30N06S5L140ATMA1 vs IPT007N06NATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUZ30N06S5L140ATMA1 द्वारा Infineon और IPT007N06NATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUZ30N06S5L140ATMA1 | IPT007N06NATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 30 A (Tj) | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 33 W | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10 V | 14 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.2 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 12.2 nC @ VGS=10 V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 888 pF @ VDS=30 V | — |
| पैकेज | PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm) | PG-HSOF-8-1 (TOLL) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55°C to +175°C | — |
| Technology Family | OptiMOS 5 | — |
| Automotive Grade | AEC-Q101 qualified | — |
| Gate-Source Voltage Max | ±20 V | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (RoHS compliant) | — |
| Technology | — | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 300 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | — | 0.75 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | — | 375 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Configuration | — | Single N-channel |
| Gate Charge (QG) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] |
| Thermal Resistance (RthJC max) | — | [DATA_NEEDED: RthJC] |
| MSL स्तर | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Standard Pack Quantity | — | 3000 (Tape & Reel) |