IPB35N10S3L26ATMA1 vs IPD50N04S408ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB35N10S3L26ATMA1 द्वारा Infineon और IPD50N04S408ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 - 100V 35A N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA1 - 100V 35A N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA1 ✓ सक्रिय
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 - 40V 50A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD50N04S408ATMA1 - 40V 50A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD50N04S408ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPB35N10S3L26ATMA1 IPD50N04S408ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T OptiMOS-T2
Channel Type N-Channel —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
Package Type PG-TO263-3 (D2PAK-2) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन काउंट 3 (Gate, Drain, Source) —
Channel Mode Enhancement —
RDS(on) (typical per Infineon product page) 26.3 mΩ —
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80 nC —
Maximum Drain-Source Resistance Rds 1.7 mΩ (per RS Components listing) —
Minimum Operating Temperature -55 C —
Maximum Power Dissipation Pd 81 W (per RS Components listing) —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] —
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] —
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement-mode
Drain-Source Voltage (V DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I D, Tc) — 50 A
Power Dissipation (P D, Tc) — 46 W
पैकेज — PG-TO252-3-313 (DPAK)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55 °C to +175 °C
MSL स्तर — MSL1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Tested — 100 % Avalanche tested
Green Package (RoHS) — RoHS compliant
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) — [DATA_NEEDED: V GS(th) typical]
On-State Resistance (R DS(on)) — [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V]
Total Gate Charge (Q G) — [DATA_NEEDED: Q G typical]

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