IPTG025N15NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPTG025N15NM6ATMA1 द्वारा Infineon और ISC037N12NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPTG025N15NM6ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPTG025N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPTG025N15NM6ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
ISC037N12NM6ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1 - 120V 3.7mOhm N-Channel OptiMOS 6 | Infineon

ISC037N12NM6ATMA1 - 120V 3.7mOhm N-Channel OptiMOS 6 | Infineon

ISC037N12NM6ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPTG025N15NM6ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 6 150 V (N-channel trench) OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 26 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 264 A (pulsed) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 395 W —
On-State Resistance RDS(on) typ 2.5 mOhm at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
पैकेज PG-HSOG-8-1 (TOLG) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6) -55C to +175C (junction)
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Solder Joint Reliability Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK —
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
MSL स्तर — 1 (per JEDEC J-STD-020)

डेटाशीट और संसाधन

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