IQD020N10NM5CGSCATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQD020N10NM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon और IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IQD020N10NM5CGSCATMA1 - 100V 276A N-Channel MOSFET | Infineon
IQD020N10NM5CGSCATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQD020N10NM5CGSCATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 100V (IQD series) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 276 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 26 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 2.0 mOhm at VGS = 10 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) - JLCPCB listing | 1.8 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 3.8 V | — |
| Gate Charge (Qg, total) | 107 nC at VGS = 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 7.3 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 1 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 42 pF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | 278 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | — |
| पैकेज | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm) with exposed thermal pad | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Gate Drive Level | Logic-level (10 V VGS rated) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 789 A |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V (typ) |
| पिन काउंट | — | 9 |
| Cooling | — | Dual-side exposed pad (top + bottom) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |