IQE012N03LM5CGSCATMA1 vs IQE008N03LM5SCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE012N03LM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon और IQE008N03LM5SCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE012N03LM5CGSCATMA1 | IQE008N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | Trench MOSFET (N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 34 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | 224 A | — |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | 1.15 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ, per Merlin listing) | 2 V (typical) |
| पैकेज | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) | PG-WHSON-8 (Source-Down) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +175 °C | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 252 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 0.85 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate Drive Voltage | — | 10 V (recommended) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Cooling Architecture | — | Source-Down, dual-side cooling |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 °C to +150 °C |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |