IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 द्वारा Infineon और IQDH88N06LM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V 440A OptiMOS 7 N-FET | Infineon
IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS 7 (trench) | OptiMOS 5 (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 440 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 57 A | — |
| Power Dissipation at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC | 150 W | — |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | 0.46 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V | — |
| पैकेज | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity / Channel Type | Single N-Channel | — |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Topology Suitability | Hard- and soft-switching | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | — | 42 A |
| कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=25°C) | — | 447 A |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 0.86 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 3 W |
| पावर डिसिपेशन (TC=25°C) | — | 333 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge Qg typical | — | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| पिन काउंट | — | 9 (with exposed pad) |
| Cooling | — | Dual-side cooling capable |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |