IRFR5305TRLPBF vs IPD50P04P4L11ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR5305TRLPBF द्वारा Infineon और IPD50P04P4L11ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR5305TRLPBF | IPD50P04P4L11ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | -31 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 65 mΩ | — |
| RDS(on) max at VGS=-5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK), surface mount | PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET fifth-generation planar MOSFET | — |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free, suffix "PBF") | — |
| Tape & Reel Orientation | Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | P-Channel MOSFET, enhancement mode |
| Drain-Source Voltage VDS | — | -40 V |
| Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) | — | -50 A |
| On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) | — | 10.6 mΩ typical |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | -1.0 V to -2.5 V typical |
| Typical Gate Charge Qg | — | 45 nC |
| Power Dissipation PD (TC = 25 °C) | — | 58 W |
| पिन काउंट | — | 3 (Drain / Tab / Source / Gate) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |